(1923 - 2001)
Médico oftalmólogo. Notable científico, conocido internacionalmente por haber concebido un nuevo tratamiento para la retinosis pigmentaria.
Ciencias Naturales y Exactas
2003 | Nuevos Modelos de la barrera Schottky en uniones no ideales metal-semiconductor: aplicaciones en la determinación de la altura de la barrera
Autoría principal: Mayra P. Hernández Sánchez
Otros autores: Carlos Félix Alonso Villasuso.
Resumen:

Los resultados que se presentan son aportes al nuevo conocimiento de impacto científico en el área de la Física del Estado Sólido. En particular se trata de aportes dentro de la Física de las Superficies y de las Interfases, en este caso para la interfase metal-semiconductor.

Tener conocimientos sobre los fenómenos físicos que ocurren en los llamados contactos Schottky metal-semiconductor resulta de vital importancia ara el diseño y producción de la mayoría de los dispositivos electrónicos y opto-electrónicos, donde la comprensión de las propiedades eléctricas en el área de contacto es aun un problema de gran interés.

Los autores han obtenido 3 importantes resultados en este tema de avanzada:

1-Obtención de un Modelo y un Método de determinación de altura de la barrera en contactos Schottky homogéneos no-ideales. Este resultado tiene repercusión directa en el control de procesos tecnológicos en la industria de componentes electrónicos, aunque básicamente, constituye un nuevo aporte en el estudio de las propiedades de las interfases metal-semiconductor.El Método de determinación se basa en simulaciones numéricas de los diferentes mecanismos de transporte de corriente a través de la interfase.

2-Obtención de un Modelo y un Método de determinación de la distribución de la altura de la barrera en contactos Schottky heterogéneos. En este caso, los autores propusieron un novedoso y original modelo basado en considerar el contacto meta-semiconductor como un sistema de múltiples diodos en paralelo no-interactuantes y no-ideales que resulta en una ecuación integral de Fredholm cuya incógnita es precisamente la función distribución de la altura de la barrera, que requiere un método de solución específico. Este problema pertenece a la clase de problemas mal-planteados dentro del Análisis numérico y requiere técnicas muy sensibles y refinadas para su correcta solución.

3-La caracterización físico-química de la superficie semiconductora según la variación d la altura de la barrera. Aquí los autores estudian la composición química de una superficie semiconductora compuesta, obteniendo un método sencillo y con carácter práctico para obtener y tratar superficies semiconductoras.

El trabajo que se presenta es la continuación de la Tesis de doctorado de la Dra. Mayra Hernández, grado que obtuvo en el año 2003 y en el cual ha continuado trabajando muy activamente y con magníficos resultados que se reflejan en 4 publicaciones en Revistas de impacto como son: la Applied Physics Letters, la Journal of Physics D: Applied Physics, y la Physics Satus Solidi B, (en esta última tienen dos artículos).