(1860 - 1912)
Médico. Su obra científica en el campo de la Urología lo consagra como uno de los más importantes especialistas de esa disciplina a escala mundial. Innovó y perfeccionó la técnica instrumental, contribuyendo a preservar la salud de pacientes con afecciones renales.
Ciencias Técnicas
2003 | Aportes al diseño de los Sensores de temperatura, a las referencias de voltaje de BANDGAP Bipolares y a la Modelación del Transistor Bipolar
Autoría principal: Ricardo Amador Pérez.
Otros autores: Alicia Polanco Risquet, Agnes Nagy, Estrella González Rodríguez y Manuel Álvarez Blanco.
Resumen:

La propuesta resume el trabajo de 15 años en el tema de las propiedades eléctricas de la unión semiconductora P-N aplicados, entre otros, al desarrollo de un sensor integrado de temperatura sin ajuste resistivo interno. El tema sigue teniendo actualidad ya que la unión semiconductora P-N forma parte de una enorme cantidad de dispositivos semiconductores actuales.

El trabajo presenta un conjunto de resultados de investigación que consisten en métodos y procedimientos originales aplicados al diseño de un sensor de temperatura y de otros dispositivos semiconductores, que dieron lugar a nuevos aportes al conocimiento en la rama de la Microelectrónica, agrupados en:

  • Método reportado internacionalmente por primera vez para mejorar la exactitud de los sensores de temperatura. Su aplicación permitió la obtención de un sensor de temperatura integrado sin ajuste resistivo, que posee mejor linealidad, exactitud y estabilidad térmica y en el tiempo que su homólogo comercial. Fue aplicado en sistemas de control de temperatura en CENPALAB y en una planta de la industria farmacéutica.
  • Método para mejorar la estabilidad y exactitud de la tensión de los diodos de referencia bipolares del tipo bandgap.
  • Determinación de los mecanismos físicos de los cuales dependen algunos parámetros que intervienen en la modelación del comportamiento con la temperatura de la tensión base-emisor de un transistor bipolar, no reportados anteriormente en la literatura internacional y que permiten dar explicación complementaria a fenómenos como son el efecto de la concentración de impurezas en la base de los transistores bipolares y los efectos de emisión en el emisor de dichos transistores. Los mecanismos propuestos en el trabajo, al ser incluidos en un modelo pueden mejorar la modelación de la tensión base-emisor.
  • Desarrollo de un nuevo modelo de la capacidad del emisor con la unión emisor-base en polarización directa que describe, por primera vez, su comportamiento experimental, por lo que representa una mejora respecto a los modelos precedentes reportados en la literatura y actualmente utilizados.

Tiene dos patentes otorgadas en Cuba. Los resultados han sido presentados total o parcialmente en 14 publicaciones, 6 en revistas internacionales de prestigio. El trabajo originó, además, tres tesis de doctorado defendidas.